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Si1056X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
I D = 1.3 A
T A = 125 °C
0.01
0.001
0.05
0.00
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
5.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
4.0
0. 8
I D = 250 μ A
3.0
0.6
2.0
0.4
1.0
0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re ( °C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Time (s)
Single Pulse Power
0.001
Single P u lse
B V DSS Limited
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73895
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
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